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「窒化ガリウム」 ちっかがりうむ／GaN
窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を結合した化合物で、次世代の半導体材料として期待される物質の一つ。名古屋大学の天野浩教授ら発明者がノーベル物理学賞を受賞した、青色発光ダイオード（ＬＥＤ）にも使用される。従来の半導体よりエネルギー損失が小さく、大電流を扱えることから、電力制御に用いるパワー半導体に向く。化学メーカーはＧａＮ基板の増産投資を活発化しており、企業・大学では高性能化を見据えたデバイスの研究開発が行われている。
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