三菱ケミカルと日本製鋼所は、４インチサイズの窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶（写真）の成長を確認した。両社は新しい低コスト製造技術を用いて、パワー半導体向け大口径ＧａＮ単結晶基板の量産化を目指しており、実証実験が順調に進展していることを示した。ＧａＮ大口径基板は２０２２年度初頭から市場供給を開始する。

両社は日本製鋼所Ｍ＆Ｅ室蘭製作所（北海道室蘭市）内に大型実証設備を設置。液相成長法を基に圧力などを工夫した独自製造プロセス「ＳＣＡＡＴ―ＬＰ」を用いて、ＧａＮ基板の量産に向けた実証実験に取り組んでいる。