三菱マテリアルは２１日、次世代半導体パッケージ向けに６００ミリメートル角の「角型シリコン基板」を開発したと発表した。四角形状で大型化したことで、複数のチップを一つの基板に集積する技術「チップレット」を採用した次世代半導体パッケージで効率よく半導体チップを配置できる。半導体製造工程での生産性向上に貢献する。

開発した「角型シリコン基板」は大型シリコンインゴットの鋳造技術と独自の加工技術を組み合わせることにより、高平坦度と低表面粗さを実現した。キャリア基板やチップと基板を接続する部材であるインターポーザー材料としての利用を想定する。

チップレット技術を採用した次世代半導体パッケージでは大型化が進む。このためキャリア基板に大型のガラスパネルなどを利用したパネルレベルパッケージ（ＰＬＰ）が開発されているが、ガラス材料は剛性が低く熱伝導率も低いため、再配線層形成時の加熱工程での反り発生が課題となっている。

開発品をＰＬＰのキャリア基板として使った場合、高剛性や高熱伝導性を生かし、反りを改善できる。