レゾナックは仏ソイテックとパワー半導体向け直径８インチ（２００ミリメートル）炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハーの材料となる、８インチＳｉＣ貼り合わせ基板を共同開発する。レゾナックの高い品質のＳｉＣ単結晶基板とソイテックの基板貼り合わせ技術を組み合わせることで、生産性などを高める。実用化時期などは今後詰める。

レゾナックがＳｉＣ単結晶をソイテックに供給し、ソイテックがＳｉＣ貼り合わせ基板を製造する。レゾナックがニーズに応じて同基板にエピ層を形成することも可能。８インチＳｉＣエピウエハーのサプライチェーン（供給網）の多様化につなげる。

レゾナックはＳｉＣ単結晶基板にエピ層を成長させたＳｉＣエピウエハーを手がける。世界最高水準の品質が強みで、外販メーカーでは世界トップシェアと推定される。８インチの大口径化を進めており、サンプル出荷を開始している。

ソイテックの貼り合わせ基板技術は生産性向上とともに、ＳｉＣウエハー製造時の二酸化炭素（ＣＯ２）排出量を最大７０％削減できる点も特徴。ソイテックは東海カーボンが貼り合わせＳｉＣ基板に使われる多結晶ＳｉＣウエハーを供給する戦略提携も結んでいる。