世界的な脱炭素化の流れを追い風に市場が急拡大し、国内外の半導体メーカーが相次ぎ増産投資に踏み切る炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体。ＳｉＣ国内シェア首位のロームも大規模投資を計画する。そんな同社が競合に対して優位性を持つのがＳｉＣウエハーの製造技術。２０２４年内の稼働を目指す新工場（宮崎県国富町）では、同社として初のＳｉＣウエハーの国内生産に乗り出す。同社の戦略に業界が注目している。（京都・小野太雅）

「ロームはこれからどう動く？」（半導体メーカー大手幹部）。

日本産業パートナーズ（ＪＩＰ）と国内企業連合が約２兆円を投じた東芝株のＴＯＢ（株式公開買い付け）に参画し、３０００億円拠出。出光興産子会社から同社の旧国富工場（宮崎県国富町）を取得し、２００ミリメートルＳｉＣウエハーに対応した半導体新工場として３０００億円規模の投資を計画―。ここ最近、ロームの積極的な投資姿勢に半導体業界の注目が集まっている。

同社の主力事業であるパワー・アナログ半導体市場は、自動車や産業機器の電装化・電動化により市場が拡大している。中でも成長著しいのはＳｉＣ半導体だ。一般的なシリコン製半導体より電力効率に優れた特性を持つことから、電気自動車（ＥＶ）向けの需要が増えている。

ロームはＳｉＣ半導体の増産に向けて２１年度から２７年度の７年間で約５１００億円を投じる計画。２５年度までにＳｉＣ半導体の売上高を従来計画比約１８％増の１３００億円超に引き上げ、世界トップシェア３０％を獲得。２７年度には２２年度比約９倍となる売上高２７００億円超を目指している。

ただ、同市場では競合も大規模投資を計画する。国内では三菱電機が約１０００億円を投じて、２００ミリメートルウエハーに対応した新工場棟を２６年に熊本県で稼働させる計画。海外では、米ウルフスピードやスイスのＳＴマイクロエレクトロニクス、独インフィニオン・テクノロジーズも投資を拡大中だ。

ＳｉＣ半導体の主導権をめぐる競争が激化する市場で、ロームが強みとする一つが、ＳｉＣウエハーの製造技術だ。同社は１０年に、世界で初めてＳｉＣ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を量産したが、実はその１年前の０９年、ＳｉＣウエハーを手がける独サイクリスタルを買収している。ＳｉＣ半導体のウエハーからチップまで垂直統合型生産体制を実現している。

これによりウエハーの安定調達が可能となるほか、ＳｉＣ半導体デバイスを製造した際に生じた問題に対して、ウエハー製造段階までさかのぼって対策することもできる。伊野和英ローム取締役常務執行役員は「ＳｉＣ半導体製造に不可欠な要素技術を全て持ち、各技術のすり合わせを全体最適でできる。これらノウハウは、他社が一朝一夕で追いつけない技術障壁を構築している」と胸を張る。

ＳｉＣウエハーはシリコンウエハーより製造難易度が高く、ＳｉＣパワー半導体のコストの３―４割を占めるとされる。同社は製造したＳｉＣウエハーを自社で活用するほか外販もする方針。２０年にはＳＴマイクロに対して数年間、ウエハーを供給すると発表した。伊野取締役は「基板（ウエハー）とデバイス両方でシェアを取る」と語る。

同社は独子会社でＳｉＣウエハーの生産増強を続けているほか、宮崎県の新工場でも２００ミリメートルウエハーを生産する方針。ＳｉＣ半導体デバイスの生産能力を３０年度に２１年度比３５倍に拡大する計画だが、ウエハーについても同等以上の生産能力に高める方針だ。