タカトリは半導体材料であるウエハーの研削から研磨までを行える装置「グラッピングＳｉＣ＝写真」を開発し、１２月１日に発売する。スライス後の荒れた表面の処理として、研削、ラッピング（研磨）、ポリッシング（鏡面研磨）の３工程を１台で行える。最大８インチのウエハーの処理が可能。工程間の自動化による生産性向上につながる。欧米や中国など海外の半導体ウエハーメーカーに採用を提案する。

価格は約１億円を見込む。初年度３０台、２０２６年には年間２００台の販売を目指す。

パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウムなどで使える。

同装置はサイズが幅１２２５ミリ×奥行き２５００ミリ×高さ２５００ミリメートル。重さ８トン。高剛性のフレーム構造を持ち、高速で高精度の研削が可能。また研削用砥石ホイールの交換や設定の調整、ワーク（加工対象物）の移動などを自動で行う。工程の時間短縮やコスト削減が見込める。

従来工程では研削や研磨の工程ごとに専用装置が処理しており、工程間で加工対象物（ワーク）の移動が必要だった。また作業者がデータの入力作業を間違える可能性があり、生産性を下げるリスクもあった。