キヤノンは微細な回路をハンコを押すように形成できる「ナノインプリント」の技術を使った半導体露光装置「ＦＰＡ―１２００ＮＺ２Ｃ＝写真」を発売した。同社によると、同技術を用いた半導体向け装置の実用化は世界初。極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置に比べ工数を減らすことができ、多くの電力も必要ない。電気料金が高い国・地域で導入しやすい上、二酸化炭素（ＣＯ２）の排出削減を求める半導体メーカーの需要にも応えられる。価格は非公表。

ＦＰＡ―１２００ＮＺ２Ｃは３次元（３Ｄ）の回路パターンを形成した原版（マスク）をウエハー上にある感光材の液体樹脂にハンコのように押しつけながら光を当て、パターンを一度で転写する。回路線幅１４ナノメートル（ナノは１０億分の１）に対応するが、今後さらなる微細化を目指す。

マスク越しに光をウエハーに当て、２Ｄの回路パターンを転写する従来方式と異なり、強力なレーザーや大がかりな装置が必要ない。このためＥＵＶ露光装置と比べ、対象工程の製造コストを約４割、消費電力を同９割それぞれ減らせる見込み。

ナノインプリントはマスクをウエハーに直接押しつけるため、ゴミの付着による不良品の発生率が高くなる課題があったが、新開発の環境制御技術の採用で解決し、実用化につなげた。