ドライケミカルズ（宮城県名取市、千葉哲也社長）は、パワー半導体の材料となる炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハーの製造コストを２０―３０％低減できるプロセスを開発した。インゴットに溝加工を施してウエハーをより平たんにスライスできるようにし、ウエハー表面の研削や研磨といった後工程の工数を削減する。１０月にもウエハーの受託加工と製造設備の外販を開始し、初年度は５―１０セットの設備の販売を見込む。

インゴットの切断箇所にあらかじめ砥石（といし）で円周方向に溝を入れ、その溝がワイヤソーをガイドする役割を果たし、ウエハーをより精緻にスライスできるようにする。「ＳｉＣは特に結晶が硬く、切断時にドリフトが起こる。溝があれば砥粒（とりゅう）が効果的に入り込み、ドリフトしにくくなる」（池田真朗取締役）ことでウエハー表面へのダメージを最小限に抑える。

厚さ１５ミリメートルのインゴットなら２０本の溝を入れられ、「砥石は最大４０ミリメートルまで対応可能。その場合ウエハーを７５枚取れる」（同）。

また、通常は切断後にウエハーの端面を削るベベル（斜面）加工が１枚ずつ必要となるが、池田取締役によると「インゴットに溝を入れる際にベベルも形成されるので、その加工も不要になる。しかも枚葉処理がバッチ処理になるのでさらに効率が上がる」。その結果、切断後すぐに鏡面研削と化学機械研磨（ＣＭＰ）、洗浄、検査を施すだけで完成品となる。

「研削後のＲａ（表面粗さ）は通常の１・０ナノメートル（ナノは１０億分の１）に対し、０・５ナノメートル以下を実現した」（同）ことにより通常は２段階必要なＣＭＰも１度で済み、薬液使用量や研削・研磨くずの排出も減らせるという。