ロームは窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体の高速スイッチング性能に対応する超高速駆動制御ＩＣを開発した。高速スイッチングに必要な高周波出力を実現するため、制御パルス幅を従来の９ナノ秒（ナノは１０億分の１）から業界最高の２ナノ秒まで向上。これによりＧａＮ半導体が従来のシリコン（Ｓｉ）半導体などより優れた高速スイッチング性能を最大限に引き出せ、駆動周辺部品の小型化にもつながるという。

ＧａＮ半導体向け新技術は、２０２３年後半に１００ボルト入力の１チャンネルＤＣ―ＤＣコントローラーＩＣとしてサンプル出荷する予定。ローム製のＧａＮ半導体などと組み合わせ、通信基地局やデータセンター（ＤＣ）、産業機器、飛行ロボット（ドローン）への利用を見込む。

新技術は制御パルス幅が２ナノ秒と短いのが特徴。０・６―６０ボルトのアプリケーションの場合、新技術を搭載したＩＣ一つで高周波領域での高電圧から低電圧への降圧変換が可能なため、従来必要だった中間電圧用の電源ＩＣが不要。開発中のＤＣ―ＤＣコントローラーＩＣと同社製ＧａＮ半導体を使用した電源回路で比較した場合、実装面積を一般品比８６％削減できる。

ＧａＮ半導体は環境負荷を低減する次世代パワー半導体として注目され、今後の普及が見込まれる一方、効率の良い動作を促す制御ＩＣの普及は遅れている。ロームはＧａＮ半導体とＧａＮ向け制御ＩＣの両者を手がけることで、ＧａＮ半導体の普及を後押しする。