ロームは従来製品より耐圧性を高めた窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体の開発・量産に向け、台湾のデルタ電子と戦略的パートナーシップを締結した。データセンターなどの電源システム向けに、６００ボルト耐圧のＧａＮ製高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を共同開発する。デルタ電子は電源メーカー。同社の電源開発技術と、ロームのパワーデバイス開発・製造技術を組み合わせ、２０２２年度中の開発完了を目指す。

共同開発するＧａＮデバイスはデルタ電子が同社の電源向けに優先的に採用を検討する。採用が決まり次第、ロームは量産を始める。詳細は今後詰める。

ロームは１５０ボルト耐圧のＧａＮ製ＨＥＭＴの量産体制を確立済み。現在、同ＨＥＭＴと制御ＩＣを組み合わせた、ＧａＮインテリジェント・パワー・モジュールの開発も進めている。今後、モジュールとしてソリューション提案も視野に入れる。