窒化ガリウム「パワー半導体」量産へ、ロームが協業する台湾社の正体

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ロームは従来製品より耐圧性を高めた窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発・量産に向け、台湾のデルタ電子と戦略的パートナーシップを締結した。データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。デルタ電子は電源メーカー。同社の電源開発技術と、ロームのパワーデバイス開発・製造技術を組み合わせ、2022年度中の開発完了を目指す。

共同開発するGaNデバイスはデルタ電子が同社の電源向けに優先的に採用を検討する。採用が決まり次第、ロームは量産を始める。詳細は今後詰める。

ロームは150ボルト耐圧のGaN製HEMTの量産体制を確立済み。現在、同HEMTと制御ICを組み合わせた、GaNインテリジェント・パワー・モジュールの開発も進めている。今後、モジュールとしてソリューション提案も視野に入れる。


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日刊工業新聞2022年4月27日

キーワード
ローム パワー半導体

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