ロームは、自社の炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体が村田製作所の米グループ会社が手がけるデータセンター（ＤＣ）向け電源ユニットに採用された。採用により、高効率かつ高電力密度の電源を開発できるほか、受動部品やヒートシンクの体積を減らせるという。

ロームのＳｉＣショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）「ＳＣＳ３０８ＡＨ」が、村田製作所グループのムラタパワーソリューションズの手がける電源ユニット「Ｄ１Ｕシリーズ」に採用された。

ＳＢＤは電流の整流用途などで使用される電子部品。ＳＣＳ３０８ＡＨは従来品よりも優れたサージ電流（瞬間的に発生する過電流）耐性を持つのが特徴。また、数値が低いほど損失低減につながるＶＦ（順方向電圧）特性も従来より低減した。

ＳｉＣ半導体は高耐久で、電力変換時の損失が少ないのが特徴。省エネルギー性の高い次世代半導体として注目され、電気自動車や産業機器などへの採用が進んでいる。