ルネサスエレクトロニクスは１１日、次世代半導体である窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたパワー半導体を設計・製造する米トランスフォームを約３億３９００万ドル（約４９２億円）で買収すると発表した。子会社を通じ、発行済み普通株式をすべて取得する。ＧａＮの技術をパワー半導体事業に組み込み、電気自動車（ＥＶ）のほか、人工知能（ＡＩ）やデータセンター、再生可能エネルギー向けなど拡大する市場への取り組みを強化する。

買収は株主や規制当局の承認などを経て、２０２４年７―１２月に完了する見込み。トランスフォームの１月１０日付の終値に約３５％のプレミアムをつけた１株あたり５・１ドルで買収する。

ＧａＮ半導体は電力損失が低く、スイッチング性能も高いため、搭載するデバイスの高効率化・小型化が期待できる。ルネサスの柴田英利社長は「成長の柱の一つであるパワー半導体のポートフォリオを強化・拡大する」とコメントしている。