ミネベアミツミは千歳事業所（北海道千歳市）のＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の生産能力を口径１５０ミリメートル（６インチ）ウエハー換算で従来比約３倍に引き上げる。製造設備を増設し２０２２年度後半の稼働を目指す。電動車両の普及などを背景に、モーターの回転速度を効率良く制御し省エネに貢献するＩＧＢＴの需要が広がっている。

成膜装置や帯電した原子や分子（イオン）注入機、洗浄装置など裏面工程の装置を増設する。投資額は数億円。口径２００ミリメートル（８インチ）ウエハーにも対応させる。グループのＭＭＩセミコンダクター（滋賀県野洲市、用害毅社長）が生産するＩＧＢＴの裏面加工を月間約８０００枚行える体制を築く。

２１年にオムロンから買収したＭＭＩセミコンダクターには、ＩＧＢＴの裏面加工ができる設備がなかった。千歳事業所の設備を増強し、集中的に裏面加工することで、一段の需要拡大にも対応しやすいと判断した。

千歳事業所はウエハー上に回路を形成する前工程の拠点。６インチウエハーで月４万枚の生産能力を持つ。スマートフォン用リチウムイオン電池の保護ＩＣ向けの比率が高いが、足元ではＩＧＢＴ向けが伸びる。

ミネベアミツミは２２年３月期に７７５億円だった半導体事業の売上高を２５年３月期に約１０００億円に引き上げる目標を掲げ、このうち千歳は３００億円規模を担う予定。