新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）は、次世代パワー半導体と次世代データセンターの省エネルギー技術に１３７６億円を投じる。官民合わせた投資額は１９６３億円。パワー半導体では変換器などの電力損失を５０％以上低減し、データセンターでは４０％以上の省エネを目指す。

パワー半導体など９テーマを採択した。ロームは８インチ炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を開発する。デバイス開発へのＮＥＤＯの支援額は３０５億円、事業規模は５２７億円になる。

ウエハー技術開発ではセントラル硝子や昭和電工が高品質なＳｉＣウエハーの製造技術を開発する。ＮＥＤＯの支援額は１８６億円、事業規模は２５８億円。

次世代データセンターの開発では富士通などが光電融合技術を開発する。半導体集積回路間の接続を光配線にするため、小型光トランシーバーを開発。サーバー内の光配線とデータセンター間の長距離通信をシームレスに光接続する。日本ゼオンはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を使った抵抗変化型不揮発性メモリー（ＮＲＡＭ）を開発する。ＮＥＤＯの支援額は８８５億円、事業規模は１１７８億円になる。