大阪大学の大久保雄司助教と西野実沙大学院生、山村和也教授らは銅（Ｃｕ）箔にフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）を直接接着する技術を開発した。表面粗さ０・１マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）以下の平滑な箔材を用いる。接着剤などの中間層を使用しないため、伝送損失が少ないと期待される。第５世代通信（５Ｇ）などに利用される高周波数帯の回路用に提案していく。

平滑な銅箔とフッ素樹脂を直接貼り合わせる。フッ素樹脂の表面を加熱しながらプラズマ処理する「熱アシストプラズマ処理」で活性化させる。プラズマ中のイオンや電子がフッ素樹脂に衝突し、ラジカル（遊離基）が生成される。ここに銅箔を熱圧縮すると、銅とフッ素樹脂が強固に接着する。剥離強度は１ミリメートル当たり０・８ニュートン。ガラス繊維入りのフッ素樹脂でも高強度で接合できた。

平滑な銅箔を用いると、高周波電流を流した際の伝送損失が小さくなる利点がある。反面、接着強度が下がるという問題があった。