住友化学は５年後をめどに気相成長（ＨＶＰＥ）法による窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶基板の売上高を現在の３倍強の１００億円超へ引き上げる。２０２２年にもパワー半導体向けに４インチサイズの単結晶基板の量産販売を始める。１００億円規模の投資も視野に、２４年頃に国内で本格的な４インチ基板拡大に必要な生産体制を整える。

同社は高輝度プロジェクターなど向けのレーザー光源用２インチ基板で高シェアを握る。技術蓄積を生かして４インチ基板を量産し、パワー半導体に用途を広げる。子会社のサイオクス（茨城県日立市）の既存設備で立ち上げ、２２―２３年に国内で次の設備増設を決める。生産能力は未定。６インチ基板の試作に成功しており量産技術確立を急ぐ。

ＧａＮ基板は、シリコン（Ｓｉ）など既存のパワー半導体用基板に比べ、パワー半導体のスイッチング速度を大幅に速め、かつデバイスを小型化できる。パソコンやサーバー電源用途などを開拓し、将来は車載用途も狙う。

同社はＨＶＰＥ法の課題の欠陥を従来の１００分の１以下に低減する製造技術を確立しており、パワー半導体の要求品質に対応する。同技術は結晶の一部をジグザグに成長させ、欠陥同士をぶつけて打ち消し合う仕組みという。また、ＧａＮ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させる際にＨＶＰＥ法を用いてエピ層の品質を高める技術も開発した。