微細化追求　見極め重要

半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ＡＳＭＬが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。ただ先端のＥＵＶ関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。長期的には、どこまでＥＵＶの導入拡大が続くのか不透明な面もある。（張谷京子）

ＥＵＶ対応の検査装置を手がけるレーザーテックは、７―９月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比２・６倍に増加。需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。

特に需要が高まっているのが、光源にＥＵＶを使ったＥＵＶ露光用フォトマスク（半導体回路の原版）の欠陥検査装置で、同社が１００％のシェアを持つ。従来ＥＵＶ露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線（ＤＵＶ）光を用いてきたが、ＥＵＶ光の方がＤＵＶ光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。現在最先端の回路線幅５ナノメートル（ナノは１０億分の１）ではＤＵＶ光でも対応可能というが、同社の三沢祐太朗経営企画室長は「（微細化が進み）２ナノメートル水準になってくると、ＤＵＶだと感度が足りなくなるだろう」と指摘。光源にＥＵＶを使った検査装置のさらなる需要増に期待を示す。

東京エレクトロンは、ＥＵＶ向けコータ・デベロッパ（塗布現像装置）でシェア１００％。河合利樹社長は、ＥＵＶの導入で工程全般で技術革新が進めば、「（ＥＵＶに直接関連していない分野での）工程数も増える。また（各装置の）性能向上が進む」と分析する。成膜装置やエッチング装置などの工程への波及効果を見込む。

第５世代通信（５Ｇ）の普及を追い風に半導体の微細化ニーズは一層高まっており、半導体メーカーはＥＵＶ導入を加速している。ファウンドリー（半導体受託製造）大手の台湾ＴＳＭＣはＥＵＶを活用して、２０年春に回路線幅５ナノメートルの量産を始めたほか、２０２２年には３ナノメートルの量産も開始予定。韓国サムスン電子も５ナノメートルを量産する。またＥＵＶは、これまでのロジックＩＣに加え、ＤＲＡＭへも適用が今後進むと見られており、導入拡大が期待できる。

ただ、不安材料も残る。最先端のＥＵＶ露光装置は１台２００億円以上とされ、周辺装置も高額化する。微細化が進むにつれ、できあがった半導体の適性売価を原価が上回る事態も想定される。日立ハイテクの石和太専務執行役員は「（微細化の）技術限界よりも、経済合理性の限界が先にくるだろう」と予想する。複数の半導体チップを縦に積む「立体化」など、微細化以外の方法で半導体の性能を高めようとする動きも広がる。ＥＵＶを活用した微細化追求がいつまで続くのかを見極める眼力も、日本の周辺装置メーカーには求められる。

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