大日本印刷がリソグラフィ向けフォトマスク技術開発、5ナノに対応

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5nmプロセスに相当する高精度なフォトマスク

大日本印刷は10日、5ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体製造に対応した極端紫外線(EUV)リソグラフィ技術向けのフォトマスクの製造技術を開発したと発表した。フォトマスク専業メーカーとしては5ナノメートル世代で初めての製造技術で量産体制を整えた。国内外のメーカーへのフォトマスク提供や、周辺技術の開発の支援で2023年に年間60億円の売り上げを目指す。

フォトマスクのパターン拡大写真

マルチ電子ビームマスク描画装置の特性を生かし、新たな感光材料を含むプロセスを独自設計し、EUVマスクの微細構造に合わせて加工条件を最適化した。同装置の活用で、5ナノメートル世代の半導体用フォトマスク1枚を約10時間で製造できる。大日印は半導体の国際研究機関IMECなどと共同で、3ナノメートル以降のより微細なプロセスも開発を進めている。

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