フラッシュメモリーの記憶容量が1000倍になる新材料

広島大が発見

 広島大学大学院理学研究科の西原禎文准教授らは、市販の不揮発性メモリーに比べて1000倍以上の情報を収納できるフラッシュメモリーの開発につながる分子を発見した。内部に空洞があるカゴ状の分子を使い、情報を記録するメモリーとして機能することを突き止めた。フラッシュメモリーなど記憶装置の大容量化・小型化が期待される。

 分子内部の電気的な偏りを利用し、1分子だけで情報量の基本単位である1ビットを示せる分子の発見は初めて。従来は数万個以上の分子を並べ、分子が互いに作用しなければ情報を保持できなかった。

 西原准教授らは、すでに作製されていたタングステンや酸素、リンの原子から成るカゴ状の分子が情報記録材料として機能するかどうかを検討。同分子の空洞内にはテルビウムイオンが存在し、その空洞の中心からずれた2カ所の安定な場所のどちらかに同イオンは存在する。同イオンが2カ所の間を移動することで、分子全体がメモリーとして機能することを示した。
                  

(a) ポリオキソメタレートの構造。分子内部に1つのTb3+イオンを含んでおり、その安定サイトが2個所ある様子 (b) Tb3+イオン停止するサイトによって分子分極が反転する様子。分極反転エネルギーよりも低い温度領域では、分子分極を凍結できる(広島大提供)(a) ポリオキソメタレートの構造。分子内部に1つのTb3+イオンを含んでおり、その安定サイトが2個所ある様子 (b) Tb3+イオン停止するサイトによって分子分極が反転する様子。分極反転エネルギーよりも低い温度領域では、分子分極を凍結できる(広島大提供)


日刊工業新聞2018年8月10日

明 豊

明 豊
08月12日
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記録装置の記憶密度は1平方インチ当たり1テラビット(テラは1兆)が限界とされ、それ以上の密度向上は見込めないとされていた。成果はドイツ化学会誌電子版に掲載されています。

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