パナソニックと東京精密は、シリコンウエハー１枚当たりの半導体チップの製造個数が最大４％増える半導体後工程用システムを２月に発売する。後工程のダイシング工程にレーザーとプラズマを用い、ウエハー上のチップの切断幅を従来手法の約５分の１に削減。無駄になっていた切断部分を低減できる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）や無線識別（ＲＦＩＤ）などの小型チップの生産効率が高まる。

　同システムは半導体製造プロセスで、ウエハー上に形成したチップを切り出すダイシング工程向け。東京精密のレーザーパターニング装置と、パナソニックのプラズマダイシング装置を組み合わせて、最適化した。価格は仕様などで異なるが４億―６億円程度を想定。２０年度に両社で１００億円の販売を目指す。

　レーザー照射で微細な線幅のパターンを形成し、形成部分のみにプラズマ照射してチップを切り出す。現在の主流である刃具による加工に比べて、切断幅が約８割減の最小１０マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）に狭められる。

　ＭＥＭＳやＲＦＩＤのチップは小型で、ウエハー１枚当たりの切断箇所は増加傾向にある。切断幅を小さくすることで、ウエハーの面積を最大限有効活用できる。

　このほか、最新の３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなどで使われる厚さ５０マイクロメートル以下の極薄ウエハーの切断にも向く。刃具に比べチップが破損しにくく、チップ強度は最大５倍高まる。