米マイクロン・テクノロジーは、日本と台湾で導入を計画するＥＵＶ（極端紫外線）技術に関連し、次世代のＤＲＡＭ製品の生産開始時期について台湾で２０２５年、日本では２６年とする計画を表明した。日本政府の支援を受け、同社が広島工場に５０００億円を充てる大型投資は専用施設を新設せず、既存もしくは建設中の施設にＥＵＶ装置を２５年に導入する方針だ。

日本法人のマイクロンメモリジャパン（広島県東広島市）本社内で同日、記者会見を開いた。サンジェイ・メロートラ社長兼最高経営責任者（ＣＥＯ）は「広島の生産拠点は現在も最先端ＤＲＡＭを生産している。ＥＵＶの導入は日本初で、今後も重要な役割を果たす」などと述べた。

記者会見には広島県の湯崎英彦知事、東広島市の高垣広徳市長も出席。今回の投資決定により、半導体関連産業の一層の集積が期待される。しかし、県内は大型産業用地が少ない状況にあり、東広島市の高垣市長は「新産業用地開発の検討を加速する」と強調した。

また、中国の当局が同社製ＤＲＡＭの調達を一部停止する方針を示したことに関し、メロートラ社長兼ＣＥＯは「詳細を調査中。中国の顧客のサポートは続けていく」と語った。