ニコンは２０２４年度までに１５０ミリ―２００ミリメートルのウエハーに対応したｉ線の半導体露光装置を投入する。同社が同タイプの新製品を発売するのは２７年ぶりになるとみられる。従来機と比べてスループットを向上するほか、消費電力を低減する。ｉ線は非先端の技術だが、車載用を中心に需要が広がるパワー半導体向けなどで引き合いが増えている。

新製品は１９９４年に受注を始めたｉ線ステッパー「ＮＳＲ―２２０５ｉ１１Ｄ」の復刻版。現在の半導体露光装置は２６ミリ×３３ミリメートルの範囲を露光できる「スキャナー」方式が主流だが、２２ミリメートル角の範囲を露光できる「ステッパー」方式の採用を検討している。露光時の縮小倍率は５倍。現時点で最も新しい縮小倍率５倍のｉ線ステッパーは「ＮＳＲ―２２０５ｉ１４Ｅ」で、１９９７年に受注を始めていた。

ｉ線の半導体露光装置は、パワー半導体やアナログ半導体など最先端の露光技術が必要とされない領域で需要が拡大している。特にパワー半導体向けは需要が強く、自動車の生産回復や電動化を背景に需要が伸びている車載用のほか、太陽光パネルや蓄電池といった再生可能エネルギー分野向けなどで使用されている。

ニコンの２１年度の露光装置の販売計画台数は３２台で、うちｉ線の装置が半分の１６台を占める見通し。ｉ線に続く非先端技術のフッ化クリプトン（ＫｒＦ）の引き合いも強く、両装置の販売台数は前年度比１０台増の２４台の予想だ。両装置は中古装置での販売が主。ただ、古い装置では使用されている部品が廃盤になることもある。交換部品の入手が困難になっていた。

ニコンは露光装置のラインアップとして光源にフッ化アルゴン（ＡｒＦ）液浸、ＡｒＦドライ、ＫｒＦ、ｉ線を使った製品をそろえている。波長が短いほど、微細な線幅の半導体回路を描くことができる。現在最先端の半導体製造には「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」装置が使われているが、同社は同装置の開発からは撤退している。これまでＡｒＦ液浸、ＡｒＦドライの開発に注力していた。半導体用途の広がりを踏まえ、ＫｒＦ、ｉ線でもシェア拡大を狙う。