立命館大学発スタートアップのＰａｔｅｎｔｉｘ（パテンティクス、滋賀県草津市、衣斐豊祐社長）は、ルチル型二酸化ゲルマニウム（ｒ―ＧｅＯ２）の薄膜上にダイオードを形成し、動作させることに成功した。今後、トランジスタの開発も進め、同材料を用いて低損失なパワー半導体の実用化を目指す。同社は２０２７年にもＧｅＯ２のエピウエハーを市場投入する計画だ。

ダイオードの動作確認は物質・材料研究機構（ＮＩＭＳ）と共同で行った。酸化チタンの基板上にｒ―ＧｅＯ２単結晶膜を成膜して、ダイオードを形成した。ｒ―ＧｅＯ２にはｎ型の不純物をドーピングした。パテンティクスによれば、ｒ―ＧｅＯ２を使ったダイオードの動作実証に成功したのは世界で初めてだという。ｒ―ＧｅＯ２はこれまで高品質な単結晶膜を作成することが難しかった。パテンティクスは一般的なミストＣＶＤ法を改良した独自方法で、高品質な成膜を形成した。

同社は２５年にもｐ型での実証も行う考えだ。ｎ型とｐ型が揃うことで半導体デバイスとしての応用先が広がる。トランジスタの開発も進める考えだ。

ＧｅＯ２は超ワイドバンドギャップ半導体材料の一つ。炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）と比べて、バンドギャップが広い。バンドギャップが広いほど、低損失なパワー半導体を実現できる。また、ＧｅＯ２は理論上、ｐ型とｎ型を両方実現できる点も魅力だ。