信越化学工業は３日、窒化ガリウム（ＧａＮ）を使う半導体専用の製造基板（ウエハー）の直径を従来比１・５倍の３００ミリメートルに大型化し、サンプル供給を始めたと発表した。高品質な厚膜ＧａＮエピタキシャル成長を実現する。需要が高まっているデータセンター（ＤＣ）で使う次世代半導体などの製造用材料として供給する。状況をみて量産する。

結晶の上に結晶質の薄膜を成長させるエピタキシャル成長の工程を効率化する際、基板を大型化すると、反りやヒビが生じやすかった。これを解決するＧａＮ対応の基板は、従来のシリコン（Ｓｉ）と同じ生産ラインを使えるため、コスト低減効果も期待できる。従来は直径１５０ミリメートルと同２００ミリメートルを販売していたが、顧客の声に応える形で同３００ミリメートルをラインアップに加えた。

信越化学は２０１９年、「ＱＳＴ基板」という米Ｑｒｏｍｉｓ（クロミス、カリフォルニア州）が開発したＧａＮ成長専用の複合材料基板のライセンスを取得した。ＱＳＴ基板はＧａＮと熱膨張係数が同等で、標準のＳｉ基板と同等の基板厚でエピタキシャル層の反りやヒビの抑制が可能。この特徴を生かした大型基板の製品化を続けていた。