名城大学の竹内哲也教授らは、窒化ガリウム（ＧａＮ）面発光レーザーの電力変換効率を２０％に向上させた。光の共振が起きるＧａＮ層を、成長させながら厚みを計る手法を開発した。膜厚を高精度に制御し発光効率が向上した。仮想現実（ＶＲ）端末や医療機器などへの応用を目指す。

ＧａＮ層の結晶成長中に共振波長を計測して膜厚を管理する。従来は別の実験で成長速度を確かめてから結晶成長していた。成長中に計ることで膜厚の制御精度が向上した。直径８マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）の素子では設計波長と実測値の差異が０・１％と小さく、高精度に素子を作れた。

さらに発光層の下地の改善などを重ねると、直径５マイクロメートルの素子では電力変換効率が２０％を超えた。１０ミリワット以上の出力を確保した。従来の変換効率は１０％台にとどまっていた。膜厚管理技術は面発光レーザーの生産性向上につながる。