ロームは同社の６５０ボルト耐圧窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の４５ワット出力ＡＣアダプターに採用された。一般的なＧａＮデバイスと比べ静電破壊耐量が約７５％高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。ＧａＮデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り組む。

ロームの６５０ボルト耐圧ＧａＮ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）「ＧＮＰ１１５０ＴＣＡ―Ｚ」が、デルタ電子の急速充電タイプＡＣアダプター「Ｃ４　Ｄｕｏ」に採用された。スマートフォンやノートパソコンへの充電用途を想定する。同トランジスタはＥＳＤ保護素子を内蔵。デルタ電子は今後、他のアダプター製品にもロームのＧａＮデバイス採用を検討している。

ＧａＮ半導体はシリコン半導体と比べ耐電圧性能が高いことが特徴で、実装機器の省エネルギー化や小型化に貢献する次世代パワー半導体として注目される。高速スイッチング性能も高く、電力供給や、電圧、周波数の変換用半導体として、サーバー電源のほか電動車（ｘＥＶ）のオンボード・チャージャー（ＯＢＣ）向けでの需要が見込まれる。