スマートエナジー研究所（横浜市港北区、中村創一郎社長）は、窒化ガリウム（ＧａＮ）と炭化ケイ素（ＳｉＣ）のパワー半導体に対応した回路シミュレーターを開発した。最新の損失解析サービスを搭載した次世代パワー半導体モデルとして発売した。

新たに投入したのは、電源パワーエレクトロニクス用の国産高速回路シミュレーター「サイディーム」向けの、損失解析オプション製品「Ｐｏｗｅｒ　Ｐａｌｅｔｔｅ」のＧａＮ／ＳｉＣモデル。ＧａＮ／ＳｉＣパワー半導体は高速にスイッチングするため帯状の振動が発生する。この影響を抑えるために特殊な「ケルビンソース端子」が設けられる素子もあり、今回、同端子の有無による影響を高速に確認できるようにした上で、高速なシミュレーションと高い精度を両立した。

電気自動車（ＥＶ）や再生可能エネルギーなどの進展により、パワー半導体市場は堅調な成長が見込まれる。高性能、かつ小型化が可能なＧａＮやＳｉＣのパワー半導体は、シリコン製に代わる次世代素子として注目される一方、回路設計が困難なため開発期間が長いなどの課題がある