昭和電工は産業技術総合研究所（産総研）と協力し、炭化ケイ素（ＳｉＣ）バルク単結晶の高速成長技術開発に取り組む。２０３０年度までにＳｉＣウエハーの欠陥密度を１０分の１以下にすることで、現在主流の６インチの次段階である８インチウエハー開発を目指す。

Ｓｉ、炭素の２種類の元素を含むＳｉＣウエハーは、単一元素のシリコンウエハーよりも欠陥が発生しやすい。一般的な昇華法よりも欠陥の低減が期待される同技術の確立に取り組む。

昭和電工は新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）グリーンイノベーション基金事業の研究項目「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」で、次世代ＳｉＣウエハーの開発テーマが採択された。