東京工業大学の金正煥助教と細野秀雄栄誉教授らは、塗布で製造可能なｐ型半導体を開発した。２種類のペロブスカイト型ハロゲン化物を混ぜて電流の流れ具合を調整する。ｎ型半導体の酸化物半導体「ＩＧＺＯ」と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製し、高い特性を得た。

ペロブスカイト型ハロゲン化物の２次元構造を持つ「ＰＥＡ２ＳｎＩ４」と３次元構造を持つ「ＦＡＳｎＩ３」を組み合わせた。この二つの物質がコアシェル構造を作ることで、高いキャリア移動度とスイッチング機能を両立した。スイッチングの閾値電圧は約５ボルトだった。

このｐ型半導体とＩＧＺＯでＴＦＴを構成し、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）素子を作製すると高い性能が得られた。ペロブスカイト型ハロゲン化物を大気中でも安定化できればフレキシブルエレクトロニクスなどに展開できると期待される。