「大口径GaN結晶基板」低コストで量産化へ。三菱ケミカルなどが4インチ結晶の成長確認

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三菱ケミカルと日本製鋼所は、4インチサイズの窒化ガリウム(GaN)結晶(写真)の成長を確認した。両社は新しい低コスト製造技術を用いて、パワー半導体向け大口径GaN単結晶基板の量産化を目指しており、実証実験が順調に進展していることを示した。GaN大口径基板は2022年度初頭から市場供給を開始する。

両社は日本製鋼所M&E室蘭製作所(北海道室蘭市)内に大型実証設備を設置。液相成長法を基に圧力などを工夫した独自製造プロセス「SCAAT―LP」を用いて、GaN基板の量産に向けた実証実験に取り組んでいる。


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日刊工業新聞2021年11月24日

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