大日本印刷は、キオクシアホールディングス（旧東芝メモリホールディングス）、キヤノンと共同で開発を進める「ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）」での半導体製造が極端紫外線（ＥＵＶ）露光と比べ消費電力を１０分の１に抑制できることを明らかにした。ＮＩＬは量産利用までに課題が多いものの、最先端の回路線幅が形成できている。産業界における脱炭素機運の高まりを背景に、３社は消費電力削減で差別化しつつ、実用化に向けて開発を促進する方針だ。

ＮＩＬは型をウエハーに押しつけて微細な回路パターンを形成する。大日本印刷によれば、ＮＩＬは技術開発用で回路線幅５ナノメートル（ナノは１０億分の１）ノードまで対応可能という。実際の量産投入には回路欠陥の発生など解消すべき課題も多く、３社は量産技術の確立を目指している。

ＮＩＬはシンプルな製造プロセスでＥＵＶ露光のように大電力を消費することもない。大日本印刷は装置の仕様値による内部シミュレーションを２０２１年春に実施。回路形成工程における１ウエハー当たり消費電力をＥＵＶ露光使用時と比較して１０分の１程度にできることが分かった。

生産活動に対して温暖化ガス排出量削減が求められる中、脱炭素社会実現に向けて、半導体製造におけるＮＩＬの必要性が高まると見ている。製造工程における消費電力の削減に取り組む半導体メーカーやユーザーに訴求していく。

キオクシアの主力製品であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの技術開発は積層化（３Ｄ化）が現在の主流で、微細化はロジック半導体のようには進んでいない。データを出し入れする周辺回路の微細化はＮＡＮＤの中長期的なテーマ。キオクシアはすでに１５ナノメートルまでの量産技術を確立済み。微細化に備えてＥＵＶ露光やＮＩＬの研究開発を行っている。