キオクシア（旧東芝メモリ）は、横浜テクノロジーキャンパス（横浜市栄区）内に技術開発新棟（仮称）を建設すると発表した。あわせて、横浜市神奈川区にも研究開発拠点「新子安研究拠点（仮称）」を開設する。投資額は計約２００億円で、どちらも２０２３年の稼働予定。将来の人員増強を見据えるとともに、旧親会社の東芝グループの複数拠点に今も分散する人員を集約して業務効率を向上させる。

横浜テクノロジーキャンパスは技術開発新棟の建設により、業務スペースが約２倍に拡張する。新棟は６階建てで、延べ床面積が約４万平方メートル。特にＮＡＮＤ型フラッシュメモリーやＳＳＤ（ソリッド・ステート・ドライブ）の製品評価機能を強化する。

新子安研究拠点は先端研究用クリーンルームを整備し、材料や製造プロセスなどの研究を担う。