スイッチング損失35%減のSiCトランジスタ、ロームが月産50万個体制で量産

サーバー用電源や太陽光発電用インバーター、EV向けに

 ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品を開発した。端子数が4端子のパッケージを採用した。同社従来品は3端子だった。インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)の影響を抑え、SiCMOSFETの高速スイッチング性能を最大限に引き出した。

 サンプル価格(消費税抜き)は2100円から。月産50万個体制で量産を始めた。ゲートドライバーIC、電源ICなどと組み合わせたSiCMOSFET評価ボードも展開する。

 サーバー用電源や太陽光発電用インバーター、電気自動車(EV)充電ステーションなどに向けた製品。チップ表面に溝を、側壁にMOSFETのゲートを形成するトレンチゲート構造を採用した。データセンターなどで使うサーバーは大容量化、高性能化の一方で消費電力の低減が課題となっている。

日刊工業新聞2019年8月29日(エレクトロニクス)

  

ファシリテーター紹介

記者・ファシリテーターへのメッセージ

この記事に関するご意見、ご感想
情報などをお寄せください。