富士電機がパワー半導体で大攻勢、大型投資で4割増産へ

自動車や産業機器向けで成長取り込む

パワー半導体のクリーンルーム(富士電機の公式ページより)

 富士電機は半導体製品の生産能力を引き上げる。2018年3月期に122億円を投じ、パワー半導体の月産能力を前期比40%増(直径200ミリメートルシリコンウエハー換算)にするほか、エアコン用のインテリジェントパワーモジュール(IPM)の生産能力を倍増する。半導体分野で100億円を超える設備投資は3年ぶり。生産体制を整え、高い市場の成長が見込める自動車や産業機器向け半導体で、旺盛な需要を取り込む。  ウエハー加工などを手がける国内拠点や、主に組み立てなどを行う国内、海外の拠点に投資する。生産ラインを増設するほか、ラインを改良して生産効率を高める。  シリコンウエハーを加工するパワー半導体の前工程では、主力拠点である松本工場(長野県松本市)で直径200ミリメートルウエハーの生産能力を現在の月産3000枚から同5000枚に、山梨製作所(山梨県南アルプス市)では同9000枚から1万2000枚まで引き上げる。次世代のSiC(炭化ケイ素)パワー半導体材料の本格量産に向けた設備導入も行う。  また富士電機津軽セミコンダクタ(青森県五所川原市)では、パワー半導体の生産比率を現状の50%から80%に引き上げる。  組み立てや検査などの後工程では、長野県などの国内3拠点で自動車用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産ラインを増設。自動車向け製品の生産を強化する。さらにフィリピンの生産拠点でエアコン用IPMの生産能力を倍増する。

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