26年4月、熊本に専用工場

三菱電機が電動車（ｘＥＶ）モーターのインバーター駆動などに用いる小型のパワー半導体モジュールのサンプル出荷を３月に始める。自動車の高機能化が進む中、電力を効率的に制御するパワー半導体は不可欠な製品となっている。三菱電機では得意とするｘＥＶ用モジュールに、電力損失軽減に優れた炭化ケイ素（ＳｉＣ）を新たに採用するなど、ラインアップを強化。旺盛な車載需要を取り込む。（編集委員・小川淳）

「高い成長が見込める自動車分野を強化していく。（ＳｉＣ基板を供給する）米コヒレントの事業などへの出資も含め、今後のＳｉＣ事業の拡大を積極的に進める」―。三菱電機の半導体・デバイス第一事業部の楠真一事業部長は、ＳｉＣパワー半導体の強化について、こう説明する。

三菱電機は１９９７年に世界で初めてｘＥＶ向けにパワー半導体モジュールの量産を開始し、２２年までに累計で電気自動車（ＥＶ）やハイブリッド車（ＨＶ）２６００万台以上での搭載実績がある。「この分野のパイオニアの１社」（同社）だ。

今回、自動車市場で多数採用されている「トランスファーモールド型パワー半導体モジュール」（Ｔ―ＰＭ）の最新世代として、「Ｊ３シリーズ」を開発した。６製品のサンプル出荷を３月から順次始める。半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＲＣ―ＩＧＢＴ）のほか、ＳｉＣの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を採用している。

ＳｉＣ搭載を前提に、冷却器とのハンダ接合を実現したことにより、熱抵抗を従来自社製品比約３０％低減。これによりモジュールの大きさ自体を同約６０％小さくすることに成功した。同じ定格や容量で見た場合、業界最小だという。小型化により、インダクタンス（磁束変化に対する抵抗）も同３０％減り、高速のスイッチングにも対応した。

また、独自の放熱フィン形状を持つケースにより、モジュールを３個および６個納めるタイプも提供しており、ｘＥＶの多様な用途に合わせたインバーターの設計に対応する。　インバーターのパワーモジュールをシリコンからＳｉＣに切り替えることにより、ＥＶでは走行距離を５―１０％伸ばせるとされる。楠事業部長はＳｉＣ半導体について「（自動車の）大電力化により、ＳｉＣの需要が高まるのは間違いない」としており、ＳｉＣにも対応した豊富な製品群に自信を示す。

三菱電機は熊本県菊池市に２６年４月稼働予定のＳｉＣパワー半導体新工場棟を建設するなど、パワー半導体を含むパワーデバイス事業で２５年度までの５年間に計２６００億円の設備投資を行うと決めている。ｘＥＶ用のモジュール製品強化と合わせ、ＳｉＣパワー半導体事業を軌道に乗せていく。