日本発の最先端ロジック開発

東京大学の平本俊郎教授は日立製作所でバイポーラ相補型金属酸化膜半導体（ＢｉＣＭＯＳ）の開発に携わった。現在は応用物理学会長のほか、技術研究組合最先端半導体技術センター（ＬＳＴＣ）のデバイス技術開発部門長を務めるなど、アカデミアの半導体研究を背負って立つ。

「トランジスタは２０世紀最大の発明といえるが、これは科学者の単なる好奇心が生んだものではなく、真空管に代わる固体の増幅素子が必要という社会の要請に応える形で開発された」と語り、研究者にはそうした姿勢が大切だと説く。

ＣＭＯＳは２０ナノメートル台（ナノは１０億分の１）世代までの平面型から現行の立体型ＦｉｎＦＥＴと構造が変遷してきた。２ナノ世代以降はゲート・オール・アラウンド（ＧＡＡ）ナノシート型となる。「技術世代を表す『技術ノード』はかつてはゲート長と一致していたが、現在はその数字ほどには微細化は進んでいない」と指摘する。

だが旺盛な需要に支えられ、ＣＭＯＳは３次元（３D）積層へと移行し、新材料も導入されて集積密度は向上していく。各社がこぞって微細化を競うのは、世代が進むほどシステム性能が向上するとともに、量産によるコストメリットが強く働くからだ。

日本も半導体復権に向けて動き出した。平本教授はシリコン半導体の性能を極限まで追究してきたこれまでの経験を生かし、ＬＳＴＣで日本発の新たな先端ロジックデバイスの開発を目指す。