３００ミリメートルウエハー対応の試作ラインを持つ東北大学は材料から設計、デバイス、システム実証まで一貫した半導体開発が可能だ。同大の遠藤哲郎教授は東芝でＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発と事業化に関わり、大学ではこれを３次元（３D）に積んで大容量化した。

東北大の看板とも言える「スピントロニクス半導体」は電源を切ってもデータを保持できることから、既存の大規模集積回路（ＬＳＩ）の消費電力を１００分の１以下に減らせる。「演算性能と超低消費電力を両立できるユニークな技術」と遠藤教授は強調する。

スピン半導体を使い、これまでに人工知能（ＡＩ）向けや車載用、磁気抵抗メモリー（ＭＲＡＭ）を積んだＬＳＩなどを開発。同大の大野英男総長らと世界をリードしてきた技術だが、ＭＲＡＭについては海外で実用化され、２０３０年ごろには市場が現在比約１００倍の３兆円に達する見通しだ。

文部科学省のプロジェクトでは「スピントロニクス融合半導体創出拠点」として、４０近い大学・研究機関、企業と連携し、スピン半導体を中核に光などと融合してＬＳＩの動作実証までを目指す。高温環境や放射線にも強いため、宇宙空間での利用も模索する。

遠藤教授は１８年に設計・試作サービスを行う同大発ベンチャーのパワースピン（仙台市青葉区）を創業。ＬＳＩのメモリーは順次、ＭＲＡＭへ置き換わりつつあり、宮城県にも半導体工場が新設されるなど環境も整う。「半導体は総合知だ。日本が強い技術をものにしていきたい」と力強く語る。