東洋インキＳＣホールディングス（ＨＤ）は、パワー半導体のチップなどに使うことで、無加圧焼結と高い放熱性を両立できる焼結型銀ナノ接合材を開発した。次世代品として量産化が進む、炭化ケイ素（ＳｉＣ）デバイスなどへの採用を見込む。顧客へのサンプル提供を始め、２０２４年度の発売を目指す。

熱伝導率は１メートルケルビン当たり３００ワット以上、接合強度は４０メガパスカル（メガは１００万）以上を示す。開発品は大量のチップを同時に焼結できることに加え、焼結時間が５―３０分と従来品より短い。銅基板とも直接接合でき、薄膜チップや特殊形状のチップにも対応する。

ＳｉＣは従来のシリコン（Ｓｉ）と比べ動作温度が高くなる。このため、接合材にも高い耐熱性と放熱特性が必要で、普及する鉛フリーハンダに代わる接合材が求められていた。