東北大学の桜庭政夫准教授、佐藤茂雄教授、長康雄特任教授らは、ＣＵＳＩＣ（仙台市青葉区）と共同で、結晶構造が異なる炭化ケイ素（ＳｉＣ）同士の切れ目ない積層に成功した。ＳｉＣパワー半導体の信頼性を向上するほか、電力損失も３０％以上削減できる。高性能化と省エネルギー化が両立可能になる。

研究グループは、結晶構造が立方晶の３Ｃ―ＳｉＣと、六方晶の４Ｈ―ＳｉＣを積層させたハイブリッド構造基板を同時横方向のエピタキシャル成長法を用いて製作。さらに、絶縁膜を形成したハイブリッド構造基板の表面の界面準位密度を走査型非線形誘電率顕微鏡法で計測したところ、３Ｃ―ＳｉＣ表面の密度を４Ｈ―ＳｉＣ表面の２００分の１以下まで大幅に減らせることを確認した。

界面準位はＳｉＣパワー半導体の電力損失の原因となるため、これにより電力損失の削減が見込める。

９月に行われた「第８４回応用物理学会秋季学術講演会」などで発表した。