旭化成は２１日、４インチ（直径１００ミリメートル）の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）単結晶基板（ＡｌＮ基板）の製造に成功したと発表した。旭化成によると、世界初だという。次世代パワー半導体の基板などへの製品展開を見据え、２０２６―２７年頃の販売を目指す。

子会社の米クリスタルＩＳ（ニューヨーク州）が４インチのＡｌＮ基板製造に成功した。ＡｌＮは炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）よりも電力損失が小さく、耐圧が高い可能性を有するという。エネルギー効率に優れるため、次世代のパワーデバイスへの適用を期待する。

４インチ基板はその面積の８０％以上が使用可能という。２３年度中に使用可能領域を９９％以上に高めることを目標に、さらなる改善を図る計画だ。

クリスタルＩＳはＡｌＮ基板を活用し、自社でＵＶ―Ｃ（深紫外線）ＬＥＤを製造・販売している。現在は年間数千枚の２インチ基板を製造する。４インチ基板を商業化すれば、１枚当たり従来の４倍の面積で各種デバイスを製造できるという。