豊田合成はパウデック（栃木県小山市、成井啓修社長）と共同で、高電圧・高速動作の窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体を開発した。ＧａＮパワー半導体は高速だが、高電圧への対応が課題だった。２社が開発した半導体はこれを両立する。駆動回路基板に搭載すると８００ボルトで、１００万分の１秒でのオン・オフ動作を実現する。今後、耐久性や品質に磨きをかけ、早期の実用化を目指す。

今回、両社は縦６ミリ×横４ミリメートルのＧａＮパワー半導体を開発した（写真）。駆動回路基板に搭載した場合、世界トップクラスの高速動作と高電圧化を実現した。同事業は環境省の「革新的な省ＣＯ２実現のための部材や素材の社会実装・普及展開加速化事業」の支援を受けている。

パワー半導体は電気を流したり止めたりするスイッチの役割を持つ。ＧａＮを活用し高速動作を実現することで、スイッチ切り替え時のエネルギーロスを低減できる。また、パワー半導体を制御する電子部品の小型化にもつながる。

パワー半導体は現在シリコン（Ｓｉ）が主流だが、高速性や耐圧に限界がある。より低損失な炭化ケイ素（ＳｉＣ）やＧａＮを活用した次世代半導体の開発・普及が期待されている。