東洋炭素が半導体分野の事業拡大に向け設備投資を積極化している。半導体分野の黒鉛製品に必要な処理工程の能力増強に着手。２０２１年１２月期から２６年１２月期までの６年間で１２５億円の投資を計画しており、シリコン半導体のほか電気自動車（ＥＶ）向けに伸長が見込まれる炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体の需要伸長も確実に取り込む構えだ。半導体向け製品で２６年に売上高を２１年比約２倍の２００億円強に拡大する。（大阪・友広志保）

東洋炭素は詫間事業所（香川県三豊市）で黒鉛の純度を高める処理工程の新工場を２５年に稼働する。投資額は５０億円で生産能力は２２年比５０％高まる。同社は２１年に中国と日本で計２５億円を投じて生産能力を増強したばかり。生産技術センター（香川県観音寺市）でも２０億円を投じて、黒鉛表面にＳｉＣ膜を被膜してガスや粉末を閉じ込めるコーティング処理炉を２４年に稼働。生産能力は２２年比で５０％高まるが、やはり２１年に約３０億円を投じ、能力を従来比５０％拡大したばかりだ。

相次ぎ増強投資に踏み切るのは、半導体業界からの要求が高まっているからだ。同社は耐熱、耐薬品性などに優れた等方性黒鉛が主力商品で、半導体製造装置向けに供給。「シリコン、ＳｉＣ半導体向けが増強投資の対象」と喜久秀樹執行役員は説明する。第５世代通信（５Ｇ）やＩｏＴ（モノのインターネット）の普及で、中長期的にロジック半導体の需要は底堅い。またパワー半導体も「ＳｉＣ半導体が年平均で２０％の伸び。高耐圧で電力消費が少なく、ＥＶ化が背景にある」（喜久執行役員）という。

シリコン半導体向けでは単結晶シリコンインゴット製造時に石英るつぼを保持する部材や、シリコンウエハー上に薄膜を成長させる際の土台など、ＳｉＣ半導体では単結晶ＳｉＣインゴット製造用の炉や、薄膜製膜時の土台が主な用途だ。

不純物対策として、高純度処理ではハロゲンガスの注入によって黒鉛内の金属不純物を融点の低いハロゲン化物に変えて取り除き、ｐｐｍ（ｐｐｍは１００万分の１）レベルに低減する。ＳｉＣコーティングでは気相成長（ＣＶＤ）により成膜するが、２４年稼働のＳｉＣコーティング処理炉は設計の工夫によって、炉の稼働中に次のワークの炉外での段取りを可能とした。ＳｉＣ成膜の生産効率を高めた技術も開発済みで、２３年下期から供給を始める予定だ。従来工程の“カイゼン”や生産技術の開発により旺盛な需要に応える。