ロームはインバーター回路の電力損失低減に適したパワー半導体を開発した。６００ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間（ｔｒｒ）とオン抵抗の低減を両立した７機種を追加。１月に月産１０万個体制で量産を始めた。消費税抜きのサンプル価格は１個９００円。

新機種は、スイッチング時の損失の原因となるｔｒｒを１０５ナノ秒（ナノは１０億分の１）に速めながら、導通時の電力損失の原因となるオン抵抗を他社従来品比で最大２０％低減したのが特徴。高速のｔｒｒにより、スイッチング時の電力損失を他社従来品比で１７％低減。背反する両性能を同時に実現したことで、搭載機器の低消費電力化に寄与する。

独自の素子設計技術で単位面積当たりに流せる電流密度を高めており、電気自動車（ＥＶ）充電ステーションやサーバー、エアコンといったインバーター回路などで採用を見込む。新機種の前工程は滋賀と福岡の２県、後工程は中国の工場で担う。

世界的な電力消費量の増加で、ＥＶ充電ステーションや基地局、白物家電の高効率化が課題となっている。これらの機器に搭載するパワー半導体も、電力損失の低減が求められている。そのためロームでは、さらに低ノイズ性能を高めたシリーズを年内に投入予定。機種を拡充し幅広く需要を取り込む方針だ。