経済産業省と新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）は、速度などでＤＲＡＭとＮＡＮＤの中間の性質を持つ次世代メモリーの製造技術開発を支援する。記憶装置（メモリー）と処理装置（中央演算処理装置〈ＣＰＵ〉など）の間のデータ転送を効率化する役割を担い、計算処理能力の向上や省電力化への貢献が見込まれる。人工知能（ＡＩ）の普及でデータ処理量が増大する中、課題解決のカギとなるメモリーの技術開発を後押しする。

ＮＥＤＯの助成事業で支援し採択事業者を９月めどに決める。開発期間は原則５年以内。初回ステージゲート審査までに上限１８０億円、開発費用の２分の１を助成する。読み出し速度が５０ナノ（ナノは１０億分の１）―１マイクロ秒（マイクロは１００万分の１）の間、メモリー密度は１平方ミリメートル当たり０・６ギガビット（ギガは１０億）以上。転送速度が毎秒４・８ギガビット以上と、ＤＲＡＭとＮＡＮＤの中間的な性能のメモリーを目指す。１ビット当たりの平均消費電力量をＤＲＡＭと比べて１０％以上低減することも要件とした。

データ処理能力を高めるためには大量データをコンピューターの記憶装置から処理装置に高速で転送する技術が必要になる。ただ、主記憶を担うＤＲＡＭと、ＳＳＤ（ソリッド・ステート・ドライブ）などストレージのデータ転送速度に差があることが、高速化の障壁の一つになっている。次世代メモリーはこの性能差の溝を埋める役割を担う。

近年はＡＩ向けの処理で画像処理半導体（ＧＰＵ）が普及するなど、高速かつ大量のデータを転送するニーズが高まり、関連技術が注目されている。足元ではメモリー大手各社が技術開発を進めている。コストや信頼性などが担保されれば、ＤＲＡＭやＮＡＮＤに次ぐ新市場が形成される可能性もある。