東レは２１日、シンガポール科学技術研究庁の半導体研究機関、インスティチュート・オブ・マイクロエレクトロニクス（ＩＭＥ）とＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体向け高放熱接着材料の実用化研究を始めたと発表した。耐熱性に優れる次世代のＳｉＣパワー半導体から効率的に放熱する材料の貼り付けプロセスを開発する。２０２５年の実用化を目指す。

東レの材料・プロセス技術とＩＭＥの設計・試作・評価技術を融合。半導体の品質・信頼性に寄与する高放熱接着材料の貼り付けプロセスの信頼性向上などに取り組む。東レは６月に同国に開所したエレクトニクス向け研究拠点「東レシンガポール研究センター」から支援し、共同研究を円滑に進める。

すでに東レとＩＭＥは高放熱接着シートによる新規ＳｉＣパワー半導体モジュールの試作に成功。共同研究では貼り付けプロセスの簡便性とさらなる信頼性を向上し、実用化を目指す。