明電ナノプロセス・イノベーション（ＮＰＩ、東京都品川区、高田壽士社長）は、高純度１００％オゾン（ピュアオゾン）を酸化源とする成膜装置「バッチ式常温ＰＯ―ＡＬＤ成膜装置」の受注を始めた。主に半導体製造での用途を想定。プラズマ成膜では不可能な常温（３０―１５０度Ｃ）での成膜が可能で基材へのダメージを抑えられる。常温での成膜技術は世界初という。年６台の販売を目指す。

同社のピュアオゾン発生装置と組み合わせて使用する。バッチ式で、２５枚を同時に成膜できる。ピュアオゾンガスの回り込み性の高さにより、立体物や小さい溝・穴がたくさんあるような構造にもガスが深く入り込み、低濃度オゾン比４倍の被覆性能を実現できる。価格は、ピュアオゾン発生装置が２０００万―７０００万円。今回開発した成膜装置は３０００万―６０００万円。液晶ディスプレーの製造やインクジェット技術を活用した紙への印刷、太陽電池の製造など、半導体製造以外の用途での使用も想定している。