東京大学の秋山了太助教と遠山晴子大学院生、長谷川修司教授らは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板に炭素原子一層分のグラフェンを作り、カルシウムを加えて超電導を発現させた。原理上はＳｉＣ基板の一面を超電導にできる。超電導で素子間の送電損失を低減するなど、新原理の高速デバイスにつながる。

ＳｉＣ基板の表面に炭素原子が並んだ面にグラフェンを１層形成する。ここにカルシウムを蒸着し加熱するとＳｉＣとグラフェンの間と、ＳｉＣ基板の炭素原子の層とケイ素原子の層の間にカルシウムが挿入される。

するとカルシウムが挿入されたグラフェンが２層分でき、極低温で超電導になった。１マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）の配線に１マイクロアンペアの電流が流せる。従来の超電導理論で説明できない性質があり、新しい原理の超電導が発現していると考えられる。ＳｉＣ基板上の素子を超電導配線でつなぎ、素子間の送電ロスをなくすなどの用途を提案する。