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東大が「SiC基盤」を超電導化。新原理の高速デバイス実現へ

2022年03月01日 テクノロジー
東大が「SiC基盤」を超電導化。新原理の高速デバイス実現へ
ＳｉＣ上グラフェンにカルシウムを挿入する（イメージ＝東大提供）
  • 東大が「SiC基盤」を超電導化。新原理の高速デバイス実現へ
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