日立パワーデバイス（東京都千代田区、奈良孝社長）は、スイッチング損失を従来比約３０％低減したフル炭化ケイ素（ＳｉＣ）のパワー半導体モジュールを開発した。鉄道車両や再生可能エネルギー向けで、耐圧１・７キロボルト。２０２２年１月にサンプル提供を始める。

開発品は電力オン・オフのスイッチング動作を安定化するために複数のゲート抵抗を内蔵するとともに、独自設計した温度依存性の低いゲート抵抗を採用して高温時でも高速動作を可能にした。

サイズは１００ミリ×１４０ミリメートルで、電流定格が９００アンペア、１３５０アンペア、１８００アンペアの３種類を用意。最高接合温度は１７５度Ｃ。価格は明らかにしていない。