大阪大学産業科学研究所フレキシブル３Ｄ（Ｆ３Ｄ）実装協働研究所の陳伝彤（トウ）特任准教授らとヤマト科学（東京都中央区、森川智社長）は、独自開発した銀焼結接合技術により、超低熱抵抗の炭化ケイ素（ＳｉＣ）のパワーモジュールを開発した。接合部の温度が従来のハンダ接合の２７０度Ｃから１８０度Ｃに低下した。自動車やＩｏＴ（モノのインターネット）デバイスなど、高耐熱性と高信頼性が必要な分野での応用が期待される。

ＳｉＣと絶縁基板、アルミニウムのヒートシンクを低温低圧の銀焼結で直接接合した。従来、ハンダ接合で必要だったアルミニウム表面のニッケルなどの薄膜が不要になった。熱抵抗が約半分になり放熱を阻害せず、製造コストも低減できる。ヒートシンクなど加圧する接合が使えない複雑形状でも大面積接合ができる。高出力密度と小型・軽量化がしやすい。

ＳｉＣ半導体は２５０度Ｃ以上の高温でも動作でき、エネルギー損失が小さく、自動車や鉄道、産業用ロボットで需要がある。ただ、これまでハンダやグリスを使った接合で熱抵抗が生じるのが課題だった。放熱性向上により二酸化炭素（ＣＯ２）排出量の削減に繋がり、国連の持続可能な開発目標（ＳＤＧｓ）に貢献する。ポスト第５世代通信（６Ｇ）などの通信や、航空宇宙産業でも活用が期待される。

阪大Ｆ３Ｄ協働研究所は、モノづくり技術と先端技術を融合した次世代エレクトロニクス技術開発拠点。ヤマト科学などと産学連携の共同体も運営する。